| 型号： | IXTP02N50D | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | IXYS | 描述： | MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IXTP02N50D PDF |  |
| 标准包装 | 50 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 30 欧姆 @ 50mA，0V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 包装 | 管件 |
| 配用 | EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST |